Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН (в дальнейшем ОФ ИФП СО РАН, до 2003 г - Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН) создан 29 апреля 1991 г., зарегистрирован Исполкомом Совета народных депутатов Советского района г. Омска (Решение №98 от 26.03.1991 г.).

Возглавляет ОФ ИФП СО РАН д.ф.-м.н., профессор Валерий Викторович Болотов. В филиале работают 70 сотрудников, из них 3 докторов наук и 18 кандидатов наук. В аспирантуре ОФ ИФП СО РАН обучаются 9 аспирантов.

Структуру ОФ ИФП образуют дирекция, административно-управленческий аппарат, 3 научных лабораторий, 3 сектора и вспомогательные подразделения.

Основное научное направление ОФ ИФП СО РАН:

Физико-химические основы микросенсорики: материалы и элементная база интеллектуальных интегрированных сенсоров для систем управления, робототехники, контроля жидких и газовых сред и экологического мониторинга.

Области исследования

Ученые ОФ ИФП СО РАН ведут исследования в областях:

• физика полупроводников и диэлектриков
• Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе
• моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов
• теоретическое и экспериментальное исследование воздействия различных видов излучений, высокотемпературной плазмы на природу изменений физических свойств конденсированных веществ.

ОФ ИФП СО РАН проводит научные исследования по основному научному проекту:

• "Разработка и исследование физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах".
  Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов

Исследования поддерживаются на региональном и федеральном уровнях.

Сотрудничество с ВУЗами города Омска

ОФ ИФП СО РАН активно сотрудничает с ВУЗами города Омска в подготовке научных кадров высокой квалификации. Филиал осуществляет прием в аспирантуру по двум специальностям.

Аспирантура

Отдел аспирантуры в Институте сенсорной микроэлектроники СО РАН открылся в 1998 г. в соответствии с Постановлением ПСО РАН №127 от 16.04.1998 г.

Омский филиал ИФП СО РАН в соответствии с лицензией Министерства образования Российской Федерации имеет право ведения образовательной деятельности в сфере послевузовского профессионального образования по специальностям:
01.04.07 Физика конденсированного состояния
01.04.10 Физика полупроводников

Первый выпуск аспирантов состоялся в 2001 г.
2001 г. - 3 человека,
2002 г. - 1 человек,
2003 г. - 4 человека,
2004 г. - 5 человек.

В настоящее время в аспирантуре ОФ ИФП СО РАН учится 9 человек.